Лидеры американской полупроводниковой индустрии, сосредоточенной ныне преимущественно в Калифорнии, намерены построить на территории мексиканской пустыни новый исследовательский и производственный центр стоимостью более одного миллиарда долларов.
Узнайте больше в полной версии ➞Как сообщает агентство Reuters, по замыслу разработчиков проекта, комплекс, получивший название "Силиконовая граница", будет возведен на площади в 15 квадратных миль в одном из приграничных с США районов Мексики. "В последнее время, производство полупроводниковых микросхем все более перемещается в Азию, и мы уверены, что будет правильным создать параллельный производственный цикл на территории Северной Америки", - прокомментировал глава проекта Рон Джонс.
Ранее строительство подобных предприятий на территории Мексики признавалось нерентабельным из-за низкого общего образовательного уровня граждан страны, а также из-за цен на энергоносители, которые были, в целом, выше, чем в Азии. Однако теперь мексиканские власти заявили о готовности предоставить серьезные налоговые поблажки на 10 лет высокотехнологичным предприятиям, которые будут построены в отведенном для этих целей районе.
Строительство первой очереди предприятий комплекса будет начато уже в августе этого года. Его возведение позволит создать более 100 тысяч рабочих мест.